任浩岳:微电子不是小事。

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摘要:2019年陕西省最高科学技术奖获得者、中国科学院院士常说:微电子不是小事。郝跃1982年毕业于西北电信工程学院(西安电子科技大学之前)。
2019年陕西省最高科学技术奖获得者、中国科学院院士常说:“微电子不是无足轻重的。”
1982年毕业于西北电信工程学院(西安电子科技大学前身),1998年获国家科技进步奖三等奖,2008年、2009年分别获国家科技进步奖二等奖、国家技术发明奖二等奖,2010年获“何李”科技进步奖,2013年当选中国科学院院士,2015年获国家科技进步奖二等奖。2019年,他的团队获得国家科技进步奖一等奖。
 
国内对宽带隙半导体的研究始于20世纪90年代中后期。当时相关领域的科学家和技术人员很少注意到这样新颖的半导体材料。
 
“寻找新的研究方向!”当时,郝跃敏锐地意识到了这一点。经过研究和考察,他果断选择了国际上新近开始的宽带隙半导体材料和器件研究作为新的研究方向。
 
1998年以来,郝跃带领团队坚持攻关这一当时仍被他人视为“冷门”的研究领域,为该学科建设不断努力。郝跃河和他的团队先后提出了高质量材料生成方法、新型半导体材料和器件结构等一系列创新思路。在他的带领下,团队以基础理论和机理研究为基础,瞄准新材料,以新材料推动器件开发,以器件开发推动应用,最终应用于国民经济和国防建设。
 
2004年,宽带隙半导体材料与器件教育部重点实验室挂牌,为进一步的科学研究提供了有力支撑。2005年前后,当国内宽带隙半导体产业开始发展时,西安电子科技大学对宽带隙半导体的研究已经积累很深,出版了国内最早的碳化硅宽带隙半导体技术专著。2007年,宽带隙半导体技术国家重点学科实验室获批;2019年,国家工程研究中心建设获批。
 
如今,以郝跃为学术带头人的宽带隙半导体技术国家重点学科实验室已成为国内外宽带隙半导体材料与器件科研、人才培养、学术交流和成果转化的重要基地,引领着我国宽带隙半导体研究的自主发展,服务于工业工程应用。
 
在不断突破宽带隙半导体领域基础研究的基础上,郝跃及其团队坚持服务国家重大需求。他的研究成果突破了氮化物半导体材料和核心设备,先进的氮化镓微波和毫米波大功率高效电子器件,紫外和深紫外氮化镓光电LED核心技术。氮化镓微波功率器件的效率已经提高到目前国际最高记录的85%,几乎达到了半导体微波功率器件功率转换的极限。攻克了氮化镓基紫外和深紫外LED关键技术,在国内该领域取得重大突破。目前,这些成果已广泛应用于4G和5G通信基站、先进雷达系统、电力电子系统、紫外线医疗、彩印固化等领域。
 
此外,该团队在人才培养和科研成果转化方面也取得了巨大成就。郝跃曾获国家教学成果奖二等奖、陕西省教学成果奖特别奖、国家教学成果奖一等奖。郝跃和他的团队获得了近300项国际和国家发明专利,并将科研成果转移到许多企业,为我国新型半导体器件的产业化发展做出了突出贡献。
 
 
 
 

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